驰拓科技申请底部钉扎SOT-MRAM位元结构及其制备方法专利, 在制备SOT轨道层两端的导电线层结构时具有更大的工艺窗口

金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“底部钉扎SOT-MRAM位元结构及其制备方法”的专利，公开号CN119816191A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种底部钉扎SOT‑MRAM位元结构的制备方法，包括：在底部互连结构上依次沉积多层薄膜材料以及SOT轨道层材料，多层薄膜材料包括从下至上层叠的钉扎层薄膜、参考层薄膜、势垒层薄膜和自由层薄膜；在SOT轨道层材料上形成硬掩膜图案，硬掩膜图案为导电线层/间隔介质层/导电线层的结构；以硬掩膜图案作为掩膜，刻蚀SOT轨道层材料和多层薄膜材料，形成磁性隧道结和SOT轨道层；沉积保护层材料；沉积介质，并进行化学机械抛光，直至露出硬掩膜图案；形成顶部互连结构。本发明的制备方法在制备SOT轨道层两端的导电线层结构时具有更大的工艺窗口。

天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目90次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息413条，此外企业还拥有行政许可7个。

本文源自：金融界

港美股配资平台提示：文章来自网络，不代表本站观点。